更新時(shí)間:2024-08-16
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廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
生產(chǎn)地址:上海市
品牌 | 上儀 | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
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上海儀表三廠-熱電阻?
鎧裝鉑電阻是一種溫度傳感器,它比裝配式鉑電阻直徑小,易彎曲,抗震性好,適宜安裝在裝配式鉑電阻無(wú)法安裝的場(chǎng)合,本廠生產(chǎn)的WZPK系列鎧裝鉑電阻采用引進(jìn)鉑電阻測(cè)溫元件,因此,具有精確,靈敏、熱響應(yīng)時(shí)間快、質(zhì)量穩(wěn)定、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
鎧裝鉑電阻外保護(hù)套管采用不銹鋼,內(nèi)充滿高密度氧化物質(zhì)的絕緣體,因此,它具有很強(qiáng)的抗污染性能和優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度,適合安裝在環(huán)境惡劣的場(chǎng)合。
鎧裝鉑電阻可用于測(cè)量-200~500℃范圍內(nèi)溫度,可直接用銅導(dǎo)線和二次儀表相連接使用。由于它具有良好的電輸出特性,可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)器,掃描器、數(shù)據(jù)記錄儀以及電腦提供精確的溫度變化輸入信號(hào),應(yīng)符合JB/T8622-1997標(biāo)準(zhǔn)。
鎧裝熱電阻工作原理
□主要技術(shù)指標(biāo)
測(cè)溫范圍和準(zhǔn)確度
熱電阻類別 | 測(cè)量范圍℃ | 分度號(hào) | 允許偏差△t ℃ |
WZP型鉑電阻 | -200~420 | Pt100 | B級(jí) 允差±(0.3或+0.005︱t︱) |
A級(jí) 允差±(0.15或+0.002︱t︱) | |||
WZC型銅電阻 | -150~100 | Cu50 | -50~100℃ 允差±(0.30+6.0×10-3t) |
注:式中“t”為感溫元件的實(shí)測(cè)溫度值。
上海儀表三廠-熱電阻?測(cè)量溫度的傳感器,通常和顯示儀表、記錄儀表和電子調(diào)節(jié)器配套使用。它可以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過(guò)程中從-200℃~420℃范圍內(nèi)的液體、蒸汽和氣體介質(zhì)以及固體的表面溫度。
□型號(hào)表示
W | Z | 規(guī)格 | 內(nèi)容 | ||||
|
| P |
| 鉑電阻 | |||
C |
| 銅電阻 | |||||
熱電阻材料 | - | 1 |
| 無(wú)固定裝置式 | |||
2 |
| 固定螺紋式 | |||||
3 |
| 活動(dòng)式法蘭 | |||||
4 |
| 固定法蘭式 | |||||
6 |
| 固定螺紋錐形保護(hù)管式 | |||||
安 裝 固 定 形 式 | 2 |
| 防濺式 | ||||
3 |
| 防水式 | |||||
|
| 非統(tǒng)設(shè):插座式,小接線盒式等 | |||||
接線盒形式 | 0 | Φ16mm保護(hù)管 | |||||
1 | Φ12mm保護(hù)管 | ||||||
| 非統(tǒng)設(shè):各種規(guī)格保護(hù)管 | ||||||
設(shè) 計(jì) 序 號(hào) |
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W | Z | □ | - | □ | □ | □ |
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熱電阻感溫元件100℃時(shí)的電阻值(R100)和它在0℃時(shí)的電阻值R0的比值:(R100/ R0)
分度號(hào)Pt100: A 級(jí) R0=100±0.06Ω
B級(jí) R0=100±0.12Ω
分度號(hào)Cu50: R0=50±0.05Ω
熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的輸出變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間用T0.5表示。
熱電阻公稱壓力
一般指在該工作溫度下保護(hù)管所能承受的外壓(靜壓)耐不破裂。允許公稱壓力不僅與保護(hù)管材料、直徑、壁厚有關(guān),還與其結(jié)構(gòu)形式、安裝方法、置放深度以及被測(cè)介質(zhì)的流速和種類有關(guān)。
熱電阻zui小置入深度
︱min=︱元+15D
︱min-zui小可用置入深度
︱元-感溫元件長(zhǎng)度
D-保護(hù)管外徑
自然影響
通過(guò)熱電阻中測(cè)量電流5mA時(shí),測(cè)得的電阻增量換算成溫度值應(yīng)不大于0.30℃。
絕緣電阻
常溫絕緣電阻的試驗(yàn)電壓可取直流10~100V任意值,環(huán)境溫度在15~35℃范圍內(nèi),相對(duì)濕度應(yīng)不大于80%。常溫絕緣電阻值應(yīng)不小于100MΩ